如果你需要购买磨粉机，而且区分不了雷蒙磨与球磨机的区别，那么下面让我来给你讲解一下： 雷蒙磨和球磨机外形差异较大，雷蒙磨高达威猛，球磨机敦实个头也不小，但是二者的工
随着社会经济的快速发展，矿石磨粉的需求量越来越大，传统的磨粉机已经不能满足生产的需要，为了满足生产需求，黎明重工加紧科研步伐，生产出了全自动智能化环保节能立式磨粉
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2024年3月7日 作为供应链中的关键一环， 碳化硅晶圆的制造工艺正与精密加工技术紧密结合，不断突破低良率和安全性能不足的技术障碍，推动其进入晶圆的新时代！
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2024年5月10日 在2023年的紧张建设后，部分项目在2024年迎来了验收或投产的高光时刻，包括重投天科第三代半导体SiC材料生产基地、同光股份SiC衬底和粉体项目、斯科车
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2024年2月23日 近日，国内又新增 5个 碳化硅项目进展： 芯华睿：总投资 5亿元，规划年产SiC模组200万只； 复旦大学：投资 074亿元 用于SiC MOSFET项目，预计年产能
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碳化硅的主要加工过程分为切割、磨削/研磨以及抛 光，其中磨削/研磨以及抛光这两道工序是决定碳化 硅衬底最终加工质量优劣的关键工序
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衬底：价值量占比46%，为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺，核心难点在提升良率。类型可分
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2023年9月25日 本文介绍了一种新的碳化硅（SiC）晶圆清洗方法。 我们发现在RCA清洗中，氟化氢（HF）溶液浸渍处理会破坏SiC，因此设计了一种新的不使用HF的清洗方法，
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2022年8月31日 项目投产后，普兴电子将新购置各类外延生产及清洗检验设备共392台（套），预计可达到年产300万片8英寸硅外延片、36万片6英寸碳化硅外延产品的生产能力。
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2023年11月23日 该方法是利用酸碱或多种酸或碱清洗SiC颗粒，通过除去粉体表面的无定型SiO2和杂质离（Ca2+、Mn2+、Fe3+等）来提高SiC粉体在浆料中的表面Zeta电位，从
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碳化硅衬底制备目前主要以高纯碳粉、硅粉为原料合成碳化硅粉，采用物理气相传输法（PVT 法），在单晶炉中生长成为晶体，随后碳化硅晶体经过切片、研磨、抛光、清洗等步骤
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2023年9月27日 半绝缘型碳化硅基射频器件 是通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片后进一步制成，包括HEMT（高电子迁移率晶体管）等氮
